4 月 15 日消息，Netac 朗科科技今天宣布首批 DDR5 DRAM 內存顆粒已抵達朗科研發總部，朗科正式進入 DDR5 內存研發階段。

　　據了解，此批到達的顆粒為 Micron DDR5 ES，IC 編號為 Z9ZSB，根據 Micron 官網查詢為 ES 樣品，顆粒容量為 2Gx8，工作時序為 40-40-40。顆粒基于 1znm 工藝制造，尺寸為 11x9mm。

　　官方表示，朗科自 2018 年進入內存行業，目前已經推出新款電競及國產化內存產品，預計在今年 6 月推出 DDR4 電競 RGB 燈條。結合內存性能的過往發展、研發路程以及對玩家速度的追求，朗科計劃投入研發可達 10000MHz 以上的 DDR5 內存產品，敬請期待。

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